Transistor mit Nichtkreisförmigen Durchkontaktierungen in Zwei Orientierungen

EP3637462 Art B1 21. April 2021

Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3637462
Aktenzeichen
EP19201263
Anmeldetag
3. Oktober 2019
Veröffentlichung
21. April 2021
Erteilung
21. April 2021
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/48H01L23/66H01L29/417H01L29/423H01L29/78
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
NXP USA, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 NXP USA

US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.

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