Verfahren zur Herstellung eines Trägers für eine Halbleiterstruktur

EP3646367 Art B1 28. September 2022

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3646367
Aktenzeichen: EP18733876
Anmeldetag: 27. Juni 2018
Veröffentlichung: 28. September 2022
Erteilung: 28. September 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02C23C16/44

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

529 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von