Vorrichtung und Verfahren für einen Dünnschichtwiderstand mit einer Durchkontaktierungsverzögerungsschicht
EP3652779
Art A1
20. Mai 2020
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3652779
- Aktenzeichen
- EP18831844
- Anmeldetag
- 11. Juli 2018
- Veröffentlichung
- 20. Mai 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/01H01L27/08H01L21/768H01C17/075H01L23/522H01L49/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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