Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit Nanodraht Feldeffekt-Transistoren
EP3653568
Art B1
19. Oktober 2022
Anmelder: IMEC vzw 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3653568
- Aktenzeichen
- EP18206267
- Anmeldetag
- 14. November 2018
- Veröffentlichung
- 19. Oktober 2022
- Erteilung
- 19. Oktober 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B82Y10/00H01L29/06H01L29/10H01L21/8234H01L27/088H01L29/775H01L21/336// H01L21/8238H01L27/092
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- IMEC vzw
- Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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