Hochwärmeleitendes Vorrichtungssubstrat und Verfahren zur Herstellung davon

EP3654366 Art B1 7. August 2024

Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3654366
Aktenzeichen: EP18832873
Anmeldetag: 10. Juli 2018
Veröffentlichung: 7. August 2024
Erteilung: 7. August 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L27/12H01L21/20// H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Chemical

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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