Tdd-Konfiguration und Verwendung Spezieller Subframes für Fenb-Iots

EP3665855 Art B1 20. September 2023

Anmelder: Intel Corporation, Intel IP Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3665855
Aktenzeichen
EP18845146
Anmeldetag
9. August 2018
Veröffentlichung
20. September 2023
Erteilung
20. September 2023
Rechtsraum
EP
IPC
H04L5/14H04L1/00H04W72/04// H04L1/08H04L5/00H04W72/12H04W72/23
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Intel Corporation
Intel IP Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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