Mram-Speicher mit Otp-Zellen
EP3667668
Art B1
22. September 2021
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3667668
- Aktenzeichen
- EP19210190
- Anmeldetag
- 19. November 2019
- Veröffentlichung
- 22. September 2021
- Erteilung
- 22. September 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/16G11C11/00G11C17/02G11C17/14
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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