Mram-Speicher mit Otp-Zellen

EP3667668 Art B1 22. September 2021

Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3667668
Aktenzeichen
EP19210190
Anmeldetag
19. November 2019
Veröffentlichung
22. September 2021
Erteilung
22. September 2021
Rechtsraum
EP
IPC
G11C11/16G11C11/00G11C17/02G11C17/14
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
NXP USA, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 NXP USA

US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.

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