Herstellungsverfahren eines Halbleitersubstrats, das einen unter Spannung Stehenden Halbleiterabschnitt Umfasst

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP3667715

Aktenzeichen

EP19215108

Anmeldetag

11. Dezember 2019

Veröffentlichung

30. Juni 2021

Erteilung

30. Juni 2021

Rechtsraum

EP

IPC

H01L21/84H01L21/8234H01L29/78// H01L21/8238

Abstract

Procédé de réalisation d'un substrat semi-conducteur (100), comprenant la mise en œuvre des étapes suivantes :- réalisation d'une couche superficielle (106) disposée sur une couche diélectrique enterrée (104) et comprenant une région (110) de semi-conducteur contraint ;- réalisation d'un masque de gravure (114) sur la couche superficielle, recouvrant une partie de la région de semi-conducteur contraint ;- gravure de la couche superficielle selon un motif du masque de gravure, révélant au moins un premier bord latéral (118) formé par une première portion (120) de semi-conducteur contraint appartenant à ladite partie de la région de semi-conducteur contraint et qui est en contact avec la couche diélectrique enterrée ;- modification de la première portion de semi-conducteur contraint en une deuxième portion de matériau formant un élément d'appui mécanique disposé contre la région de semi-conducteur contraint ;- retrait du masque de gravure.

Anmelder

Firma

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

Land

🇫🇷 Frankreich

Fachgebiete