Herstellungsverfahren von Mikroelektronischen Komponenten

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP3667734

Aktenzeichen

EP19215408

Anmeldetag

11. Dezember 2019

Veröffentlichung

20. April 2022

Erteilung

20. April 2022

Rechtsraum

EP

IPC

H01L29/78H01L21/336

Abstract

L'invention concerne un procédé de réalisation d'au moins un composant microélectronique sur un substrat (1) qui comporte, de manière exposée sur une première face du substrat (1), au moins une zone active (11) et au moins une zone d'isolation électrique (12) adjacente à la zone active (11), le procédé comprenant une formation d'une grille (21) de transistor sur la zone active, une formation d'espaceurs (23) chacun configuré pour couvrir une surface d'un flanc différent de la grille (21), et une formation de zones de source et de drain par dopage de portions de la zone active adjacentes à la grille,caractérisé en ce qu'il comprend de manière successive :- une formation d'une première couche (100), en un matériau d'espaceur, au-dessus de la zone active (11) et au-dessus de la zone d'isolation électrique (12) ;- une implantation ionique configurée pour produire un dopage des portions de la zone active (11) adjacentes à la grille (21)au travers de la première couche (100) ;- une élimination d'une portion modifiée de la première couche (100) située en surplomb des portions de la zone active (11) adjacentes à la grille (21), ladite portion modifiée étant issue de l'implantation ionique, ladite élimination étant configurée pour préserver, au moins en partie, la première couche (100) au niveau des flancs de la grille (21).

Anmelder

Firma

Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives

Land

🇫🇷 Frankreich

Fachgebiete