Verbessertes Herstellungsverfahren eines Integrierten Schaltkreises, der einen Nmos- und einen Pmos-Transistor Umfasst
EP3671826
Art B1
31. Mai 2023
Anmelder: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3671826
- Aktenzeichen
- EP19215347
- Anmeldetag
- 11. Dezember 2019
- Veröffentlichung
- 31. Mai 2023
- Erteilung
- 31. Mai 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/84H01L27/12H01L21/8238
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
Fachgebiete
Vertreten von
Guérin, Jean-Philippe
Lyon, Frankreich
176
Patente gesamt
24
Fachgebiete
8
Anmelder-Länder
Schwerpunkte