Verfahren zur Herstellung eines Gruppe Iii-V Bipolaren Heteroübergangstransistors auf einem Substrat der Gruppe Iv und Entsprechende Bipolare Heteroübergangstransistorvorrichtung

EP3671856 Art B1 25. Januar 2023

Anmelder: IMEC vzw 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3671856
Aktenzeichen: EP18215592
Anmeldetag: 21. Dezember 2018
Veröffentlichung: 25. Januar 2023
Erteilung: 25. Januar 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/737H01L29/06H01L29/205H01L29/08H01L29/04H01L21/331

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IMEC vzw
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 imec

Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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