Dreidimensionales Resistives Speicherzellenfeld und dessen Herstellung

EP3676871 Art B1 17. April 2024

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3676871
Aktenzeichen: EP18852517
Anmeldetag: 21. August 2018
Veröffentlichung: 17. April 2024
Erteilung: 17. April 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H10B63/00H10N70/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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