Ausheilverfahren vor dem Transfer einer Halbleiterschicht

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP3678168

Aktenzeichen

EP19220269

Anmeldetag

31. Dezember 2019

Veröffentlichung

31. August 2022

Erteilung

31. August 2022

Rechtsraum

EP

IPC

H01L21/762H01L21/268H01L21/322

Abstract

L'invention porte sur un procédé de guérison de défauts générés dans une couche semi-conductrice par une implantation d'espèces réalisée dans un substrat (1) pour y former un plan de fragilisation (4) séparant une partie massive du substrat (10) de la couche semi-conductrice (3), la couche semi-conductrice (3) ayant une face avant (Fa) traversée par les espèces implantées. Le procédé comporte un recuit localisé du substrat provoquant un échauffement de la couche semi-conductrice dont l'intensité décroit de la face avant en direction du plan de fragilisation. Le recuit localisé peut comprendre une irradiation laser d'une surface avant du substrat.

Anmelder

Firma

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives

Land

🇫🇷 Frankreich

Fachgebiete