Speicheranordnungen mit Vertikal Alternierenden Schichten aus Isolierendem Material und Speicherzellen und Verfahren zur Bildung einer Speicheranordnung
EP3679605
Art B1
14. April 2021
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3679605
- Aktenzeichen
- EP18854433
- Anmeldetag
- 31. August 2018
- Veröffentlichung
- 14. April 2021
- Erteilung
- 14. April 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/07H01L27/02H01L27/11556H01L27/11582H01L27/108
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
3.194 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Branderhorst, Matthijs Pieter Arie
Oxford, Großbritannien
350
Patente gesamt
28
Fachgebiete
10
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Somervell, Thomas Richard
Marks & Clerk LLP · Birmingham