Halbleiterwaferherstellungsverfahren, Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterenergiestrahlerdetektionselements und Halbleiterwafer

EP3680940 Art A1 15. Juli 2020

Anmelder: Hamamatsu Photonics K.K. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3680940
Aktenzeichen: EP18854988
Anmeldetag: 5. September 2018
Veröffentlichung: 15. Juli 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L31/103H01L31/18H01L31/118

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hamamatsu Photonics K.K.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hamamatsu Photonics

Japanisches Unternehmen für Photonik mit Sitz in Hamamatsu, spezialisiert auf Photodetektoren, Bildsensoren, Laser und optische Messtechnik für Wissenschaft und Industrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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