Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

EP3683835 Art B1 20. November 2024

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3683835
Aktenzeichen: EP19215258
Anmeldetag: 11. Dezember 2019
Veröffentlichung: 20. November 2024
Erteilung: 20. November 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/12H01L21/84H01L21/8234H01L29/66H01L27/088H01L29/51

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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