Vorläuferstruktur eines Films mit Senkrechter Magnetisierung, Struktur eines Films mit Senkrechter Magnetisierung und Verfahren zu deren Herstellung, Tunnelmagnetwiderstandsübergangsfilm mit Senkrechter Magnetisierung unter Verwendung Derselben und Verfahren zu deren Herstellung und Tunnelmagnetwiderstandsübergangselement mit Senkrechter Magnetisierung unter Verwendung Derselben
EP3683851
Art B1
22. Juni 2022
Anmelder: National Institute for Materials Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3683851
- Aktenzeichen
- EP18852964
- Anmeldetag
- 29. August 2018
- Veröffentlichung
- 22. Juni 2022
- Erteilung
- 22. Juni 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L43/10G01R33/09H01F10/14H01F10/30H01L21/8239H01L27/105H01L43/08H01L43/12G01R33/00G01R33/16H01F10/32H01F41/30G11C11/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute for Materials Science
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
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