Verfahren zur Herstellung einer Schicht und Vorrichtung zur Herstellung Davon, Metalloxidtransistor und Verfahren zur Herstellung davon
EP3686316
Art A1
29. Juli 2020
Anmelder: IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3686316
- Aktenzeichen
- EP18810875
- Anmeldetag
- 18. Oktober 2018
- Veröffentlichung
- 29. Juli 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C23C16/448C23C16/455C23C16/40H01L21/02C23C16/52
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Iucf-hyu (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)
Die IUCF-HYU verwaltet Forschungsergebnisse und Patente der Hanyang University in Südkorea. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiterbauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt um anorganische Chemie und Software. Anmeldungen reichen von 2002 bis 2025.
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