Verfahren zur Herstellung einer Schicht und Vorrichtung zur Herstellung Davon, Metalloxidtransistor und Verfahren zur Herstellung davon

EP3686316 Art A1 29. Juli 2020

Anmelder: IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3686316
Aktenzeichen
EP18810875
Anmeldetag
18. Oktober 2018
Veröffentlichung
29. Juli 2020
Rechtsraum
EP
IPC
C23C16/448C23C16/455C23C16/40H01L21/02C23C16/52
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)
Land
🇰🇷 Südkorea
🇰🇷 Iucf-hyu (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)

Die IUCF-HYU verwaltet Forschungsergebnisse und Patente der Hanyang University in Südkorea. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiterbauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt um anorganische Chemie und Software. Anmeldungen reichen von 2002 bis 2025.

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