Hochspannungsdünnschichttransistor und Verfahren zu dessen Herstellung

EP3688811 Art B1 16. Juni 2021

Anmelder: Nederlandse Organisatie voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3688811
Aktenzeichen: EP18812322
Anmeldetag: 24. September 2018
Veröffentlichung: 16. Juni 2021
Erteilung: 16. Juni 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/417

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nederlandse Organisatie voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 TNO (Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk onderzoek)

Niederländisches, unabhängiges Forschungsinstitut für angewandte Naturwissenschaften mit Sitz in Den Haag. TNO betreibt anwendungsorientierte Forschung und Entwicklung in Bereichen wie Energie, Mobilität, Gesundheit, Verteidigung und Informationstechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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