Feldeffekttransistoren mit Ferroelektrischer oder Antiferroelektrischer Gate-Dielektrikumstruktur

EP3688815 Art A1 5. August 2020

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3688815
Aktenzeichen: EP17927533
Anmeldetag: 28. September 2017
Veröffentlichung: 5. August 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/78H01L29/66H01L29/51

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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