Verfahren zur Herstellung einer Dämmschicht für ein Halbleitergehäuse und nach dem Verfahren Hergestellte Dämmschicht für ein Halbleitergehäuse
EP3696848
Art B1
24. August 2022
Anmelder: LG CHEM, LTD. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3696848
- Aktenzeichen
- EP18900388
- Anmeldetag
- 20. Dezember 2018
- Veröffentlichung
- 24. August 2022
- Erteilung
- 24. August 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/29H01L23/482H01L23/485H01L21/02H01L21/48H01L23/498
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LG CHEM, LTD.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
LG Chem
Südkoreanisches Chemieunternehmen, das Batteriematerialien, Kunststoffe, petrochemische Produkte und pharmazeutische Wirkstoffe herstellt.
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Boehmert & Boehmert
München, Deutschland
Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.
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