Vorrichtung mit einer Physisch nicht Klonierbaren Funktion mit Transistoren mit Schwebendem Gate, und Herstellungsverfahren

EP3700126 Art B1 13. September 2023

Anmelder: STMicroelectronics (Rousset) SAS 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3700126
Aktenzeichen: EP20156558
Anmeldetag: 11. Februar 2020
Veröffentlichung: 13. September 2023
Erteilung: 13. September 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H04L9/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics (Rousset) SAS
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 STMicroelectronics (Rousset)

Französischer Produktionsstandort des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics in Rousset. Der Standort fertigt integrierte Schaltkreise und Halbleiterbauelemente für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Nachrichtentechnik & Telekommunikation

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