Halbleiterlaser-Wafer und Halbleiterlaser

EP3703200 Art B1 7. Mai 2025

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3703200
Aktenzeichen
EP20158198
Anmeldetag
19. Februar 2020
Veröffentlichung
7. Mai 2025
Erteilung
7. Mai 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H01S5/00H01S5/22H01S5/34H01S5/343
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.645 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen