Mems-Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung davon
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3708532
- Aktenzeichen
- EP19163178
- Anmeldetag
- 15. März 2019
- Veröffentlichung
- 25. September 2024
- Erteilung
- 25. September 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B81B3/00
Abstract
A MEMS device comprises a first electrode structure and a second electrode structure forming a capacitive sensing arrangement. The MEMS device comprises a plurality of anti-stiction bumps arranged between the first electrode structure and the second electrode structure at a corresponding plurality of locations. The plurality of locations being projected into a main surface of the second electrode structure is distributed so as to comprise a first distribution density in a first main surface region of the main surface and so as to comprise second, different distribution density in a second main surface region of the main surface, the second main surface region being delimited from the first main surface region.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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