Ersatz-Metall-Gate-Verfahren für Vertikalen Transportfeldeffekttransistor

EP3711098 Art B1 14. Februar 2024

Anmelder: International Business Machines Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3711098
Aktenzeichen
EP18898726
Anmeldetag
31. Dezember 2018
Veröffentlichung
14. Februar 2024
Erteilung
14. Februar 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/41H01L29/78H01L21/8234H01L21/8238H01L27/092H01L29/786H01L27/088H01L21/336
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
International Business Machines Corporation
Land
🇺🇸 USA

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Williams, Julian David Rüschlikon, Schweiz
590
Patente gesamt
21
Fachgebiete
5
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Software & Datenverarbeitung Halbleiter & Elektrische Bauelemente Nachrichtentechnik & Telekommunikation Akustik, Musik & Datenspeicherung Elektronik & Schaltungstechnik Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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