Verfahren zur Kontaktstrukturierung von Dünnschichttransistoren für Eingebetteten Dram unter Verwendung einer Mehrschichtigen Hartmaske

EP3712942 Art A1 23. September 2020

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3712942
Aktenzeichen: EP20158343
Anmeldetag: 19. Februar 2020
Veröffentlichung: 23. September 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/108H01L29/786H01L21/311

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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