Photonischer Säulenkristall

EP3718963 Art B1 4. September 2024

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3718963
Aktenzeichen
EP19167125
Anmeldetag
3. April 2019
Veröffentlichung
4. September 2024
Erteilung
4. September 2024
Rechtsraum
EP
IPC
B82Y20/00G01N21/00G02B6/12
Offizieller Volltext

Abstract

There are disclosed techniques (e.g., implemented in devices, methods and/or in non-transitory storage units) for confining wavelengths, e.g., using a pillar photonic crystal. A semiconductor device (10, 10a) may comprise: a pillar photonic crystal (11) including a structure (13, 13a) and a plurality of pillars (12) extending from the structure (13, 13a) in a height direction (z), wherein the plurality of pillars (12) form at least one waveguide (15) for electromagnetic radiation at a specific wavelength, the at least one waveguide (15) extending in at least one planar direction, wherein the structure (13, 13a) includes a confining layer (14) in doped semiconductor material to support propagation of surface plasmon polaritons.

Anmelder

Firma
Infineon Technologies AG
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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