Verfahren zur Herstellung des Restes eines Donorsubstrats, nach Diesem Verfahren Hergestelltes Substrat und Verwendung eines Solchen Substrats

EP3721467 Art B1 29. Dezember 2021

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3721467
Aktenzeichen: EP18816207
Anmeldetag: 21. November 2018
Veröffentlichung: 29. Dezember 2021
Erteilung: 29. Dezember 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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