Halbleiterbauelement mit Hochstabiler Verbindungsschicht und Herstellungsverfahren für die Vorrichtung
EP3723116
Art A1
14. Oktober 2020
Anmelder: HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3723116
- Aktenzeichen
- EP18905755
- Anmeldetag
- 9. Februar 2018
- Veröffentlichung
- 14. Oktober 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/488H01L23/31H01L21/56H01L21/60G01R31/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Huawei
Chinesisches Technologieunternehmen mit Sitz in Shenzhen. Entwickelt Telekommunikationsinfrastruktur, Netzwerktechnik, Smartphones und weitere Unterhaltungs- und Kommunikationselektronik.
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