Plasmaätzverfahren und Plasmaätzvorrichtung
EP3726567
Art B1
22. Januar 2025
Anmelder: Tokyo Electron Limited, Université D'Orléans 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3726567
- Aktenzeichen
- EP18889001
- Anmeldetag
- 11. Dezember 2018
- Veröffentlichung
- 22. Januar 2025
- Erteilung
- 22. Januar 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/3065H01L21/311
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Tokyo Electron Limited
Université D'Orléans - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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Fachgebiete
Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München