Plasmaätzverfahren und Plasmaätzvorrichtung

EP3726567 Art B1 22. Januar 2025

Anmelder: Tokyo Electron Limited, Université D'Orléans 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3726567
Aktenzeichen
EP18889001
Anmeldetag
11. Dezember 2018
Veröffentlichung
22. Januar 2025
Erteilung
22. Januar 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/3065H01L21/311
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Tokyo Electron Limited
Université D'Orléans
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen