Drain-Erweiterter Mos-Hochspannungstransistor
EP3732730
Art A1
4. November 2020
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3732730
- Aktenzeichen
- EP18897788
- Anmeldetag
- 31. Dezember 2018
- Veröffentlichung
- 4. November 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/10H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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