Selbstregulierende Body-Biasing-Techniken zur Kompensation von Prozess-, Spannungs- und Temperaturschwankungen (pvt) in Vollständig Verarmten Silizium-Auf-Isolator(fdsoi)-Halbleitern
EP3736664
Art A1
11. November 2020
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3736664
- Aktenzeichen
- EP20173265
- Anmeldetag
- 6. Mai 2020
- Veröffentlichung
- 11. November 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G06F1/26H03K19/0185H03K19/00H03K17/687H01L27/11582G11C7/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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