Verfahren zur Erfassung der Möglichen Verletzung der Integrität eines Halbleitersubstrats eines Integrierten Schaltkreises von Seiner Rückseite Aus, und Entsprechender Integrierter Schaltkreis

EP3739622 Art A1 18. November 2020

Anmelder: STMicroelectronics (Rousset) SAS 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3739622
Aktenzeichen: EP20172288
Anmeldetag: 30. April 2020
Veröffentlichung: 18. November 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H10W42/40H10W44/00G06K19/073

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics (Rousset) SAS
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 STMicroelectronics (Rousset)

Französischer Produktionsstandort des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics in Rousset. Der Standort fertigt integrierte Schaltkreise und Halbleiterbauelemente für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung

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