In einer Epitaxialschicht Gebildeter Integrierter Grabenkondensator
EP3743941
Art A1
2. Dezember 2020
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3743941
- Aktenzeichen
- EP19744103
- Anmeldetag
- 22. Januar 2019
- Veröffentlichung
- 2. Dezember 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/94H01L23/48H01L21/70H01L23/495
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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