Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements
EP3745449
Art A1
2. Dezember 2020
Anmelder: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3745449
- Aktenzeichen
- EP18902587
- Anmeldetag
- 27. November 2018
- Veröffentlichung
- 2. Dezember 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L25/065H01L25/07H01L25/18H01L27/146H01L21/56H01L25/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hamamatsu Photonics
Japanisches Unternehmen für Photonik mit Sitz in Hamamatsu, spezialisiert auf Photodetektoren, Bildsensoren, Laser und optische Messtechnik für Wissenschaft und Industrie.
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Fachgebiete
Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München