Verfahren zur Formung von Gate-Strukturen für Gruppe-Iii-V-Feldeffekttransistoren

EP3747040 Art A1 9. Dezember 2020

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3747040
Aktenzeichen: EP19701922
Anmeldetag: 4. Januar 2019
Veröffentlichung: 9. Dezember 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/285H01L29/47H01L29/49H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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