Halbleiteranordnungen mit Verwendung von Edge-Stacking und Verfahren zur Herstellung davon
EP3750182
Art A1
16. Dezember 2020
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3750182
- Aktenzeichen
- EP18904869
- Anmeldetag
- 3. Dezember 2018
- Veröffentlichung
- 16. Dezember 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/053H01L23/24H01L23/31H01L23/485H01L25/065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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