Verfahren zur Herstellung von Verbindungen mit Niedriger Schmelztemperatur auf Wafer-Ebene für eine Wafer-Bonding-Anordnung
EP3753045
Art B1
9. April 2025
Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3753045
- Aktenzeichen
- EP18773680
- Anmeldetag
- 21. August 2018
- Veröffentlichung
- 9. April 2025
- Erteilung
- 9. April 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Raytheon Company
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Raytheon Company
US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.
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