Vertieftes Gate-Oxid Ab der Seitenwand eines Gate-Grabens

EP3754720 Art A1 23. Dezember 2020

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3754720
Aktenzeichen: EP20166202
Anmeldetag: 27. März 2020
Veröffentlichung: 23. Dezember 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/775H01L29/78H01L29/423H01L21/336H01L29/06B82Y10/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.631 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von