Vorrichtung mit Überlappendem Tiefem Graben und Flachem Graben und Verfahren zur Herstellung Derselben mit Niedriger Fehlerdichte
EP3756213
Art B1
21. Mai 2025
Anmelder: Texas Instruments Incorporated, Texas Instruments Japan Limited 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3756213
- Aktenzeichen
- EP19757672
- Anmeldetag
- 21. Februar 2019
- Veröffentlichung
- 21. Mai 2025
- Erteilung
- 21. Mai 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762H01L21/308
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Texas Instruments Incorporated
Texas Instruments Japan Limited - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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