Vertikaler Siliciumcarbid-Leistungs-Mosfet und Igbt sowie Verfahren zur Herstellung davon

EP3756225 Art B1 28. April 2021

Anmelder: Hitachi Energy Switzerland AG, ABB Power Grids Switzerland AG 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3756225
Aktenzeichen: EP19789693
Anmeldetag: 22. Oktober 2019
Veröffentlichung: 28. April 2021
Erteilung: 28. April 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/739H01L29/78H01L29/16H01L29/10H01L21/331H01L29/165H01L21/336// H01L29/267

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Hitachi Energy Switzerland AG
ABB Power Grids Switzerland AG
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy Switzerland

Schweizer Gesellschaft des Hitachi-Konzerns, die Technik für Stromübertragung und -verteilung, Netzstabilität und Energieinfrastruktur entwickelt und liefert.

868 Patente in unserer Datenbank

🇨🇭 ABB Power Grids Switzerland

Schweizer Konzerngesellschaft im Bereich Energieübertragung, ehemals Teil von ABB und heute mit Hitachi verbunden. Entwickelt Technik für Stromnetze und Schaltanlagen.

653 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von