Integration einer Graphen- und Bornitrid-Heterostruktur
EP3759731
Art A1
6. Januar 2021
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3759731
- Aktenzeichen
- EP19760285
- Anmeldetag
- 4. März 2019
- Veröffentlichung
- 6. Januar 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L29/786H01L21/336H01L29/267H01L21/20// H01L29/417H01L29/16H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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