Ferroelektrischer 2D-Speichertransistor mit Niedriger Leistungsaufnahme und Herstellungsverfahren dafür
EP3759740
Art B1
21. Juni 2023
Anmelder: Mitsubishi Electric Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3759740
- Aktenzeichen
- EP19842896
- Anmeldetag
- 23. Dezember 2019
- Veröffentlichung
- 21. Juni 2023
- Erteilung
- 21. Juni 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/51H01L29/66H01L29/786H01L21/28H01L29/49
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mitsubishi Electric Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Electric
Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.
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