Spannungskompensation und -Abbau in Gebondeten Wafern

EP3766093 Art B1 11. März 2026

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3766093
Aktenzeichen: EP18812504
Anmeldetag: 13. November 2018
Veröffentlichung: 11. März 2026
Erteilung: 11. März 2026
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/78H01L21/302H01L21/66// H01L21/683

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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