Vorrichtung und Methode zur In-Situ-Messung der Lebensdauer von Minoritätsträgern in einem Halbleitermaterial

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP3767282

Aktenzeichen

EP20185506

Anmeldetag

13. Juli 2020

Veröffentlichung

12. Februar 2025

Erteilung

12. Februar 2025

Rechtsraum

EP

IPC

G01N21/64G01N21/95H01L21/66H02S50/15

Abstract

L'invention concerne une méthode pour mesurer in-situ le temps de vie de porteurs minoritaires dans un matériau semi-conducteur (Ec) comprenant au moins une première jonction (J1) en mesurant un premier signal de photoluminescence (PL1), ladite méthode comprenant : a. illuminer au moins la première jonction (J1) du matériau semi-conducteur (Ec) avec un premier rayonnement lumineux (L1<in>) émis à une pluralité d'intensités moyennes I1<i>, i∈[1,m] et à une première longueur d'onde adaptée, pour chaque i∈[1,m] on réalise les sous-étapes consistant à: A1- calculer le taux de photogénération G<i> de porteurs de charge ; A2-moduler ledit premier rayonnement lumineux successivement à une pluralité n>1 de fréquences de modulation distinctes ω<j> j∈[1,n] et pour chaque j∈[1,n] : A21-détecter le premier signal de photoluminescence (PL1) et mesurer le déphasage φ<ij> A3-calculer le temps de vie de porteurs minoritaires τ<i> à partir des mesures dudit déphasage φ<ij>, avec j∈[1,n],; A4-calculer la densité de porteurs minoritaires Δn<i> à partir du temps de vie des porteurs minoritaires τ<i> et du taux de photogénération G<i> ;

Anmelder

Firmen

Centre National de la Recherche Scientifique
Institut Photovoltaïque d'Ile de France - IPVF
Electricité de France
Ecole Polytechnique
TotalEnergies OneTech
TOTAL SE

Land

🇫🇷 Frankreich

Fachgebiete