Herstellungsverfahren, das eine Definition einer Effektiven Kanallänge eines Mosfet-Transistors Umfasst

EP3772093 Art A1 3. Februar 2021

Anmelder: STMicroelectronics (Rousset) SAS 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3772093
Aktenzeichen: EP20186529
Anmeldetag: 17. Juli 2020
Veröffentlichung: 3. Februar 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/8234H01L27/088H01L29/78// H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics (Rousset) SAS
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 STMicroelectronics (Rousset)

Französischer Produktionsstandort des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics in Rousset. Der Standort fertigt integrierte Schaltkreise und Halbleiterbauelemente für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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