Verfahren zur Herstellung einer Kristallinen Schicht aus Pzt-Material und Substrat zum Epitaktischen Wachsen einer Kristallinen Schicht aus Pzt-Material

EP3775332 Art A1 17. Februar 2021

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3775332
Aktenzeichen: EP19722177
Anmeldetag: 26. März 2019
Veröffentlichung: 17. Februar 2021
Rechtsraum: EP
IPC: C30B23/02C30B25/18C30B29/22H01L21/762C30B33/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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