Verfahren zur Herstellung einer Einkristallinen Schicht aus Aln-Material und Substrat für das Epitaktische Wachstum einer Einkristallinen Schicht aus Aln-Material

EP3775333 Art A2 17. Februar 2021

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3775333
Aktenzeichen: EP19759725
Anmeldetag: 26. März 2019
Veröffentlichung: 17. Februar 2021
Rechtsraum: EP
IPC: C30B23/02C30B25/18C30B29/38C30B33/06H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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