Verfahren zur Herstellung eines Substrats für einen Hochfrequenzfilter

EP3776630 Art B1 4. September 2024

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3776630
Aktenzeichen: EP19721698
Anmeldetag: 27. März 2019
Veröffentlichung: 4. September 2024
Erteilung: 4. September 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H10N30/073

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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