Verfahren zur Herstellung eines Substrats für einen Radiofrequenzfilter

EP3776632 Art B1 21. August 2024

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3776632
Aktenzeichen
EP19719549
Anmeldetag
26. März 2019
Veröffentlichung
21. August 2024
Erteilung
21. August 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H10N30/073H03H9/02H01L21/20
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
SOITEC
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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